DUPLOMATIC迪普馬電磁閥LC40-QD4/20N/LL

放大板EDM-M212/30E1-B

節(jié)流閥MERS-D/M/50

溢流閥MCD6-SBT/51N

液壓缸HC2F-63/28-0350-KO-S-22/20

電液比例閥DSPE7G-A150/31N-II/E1K11/B

電液比例閥DSPE7G-C150/31N-II/E1K11/B

比例閥DSE3-A26/11V-D24K1 這個用  DSE3-A26/11N-D24K1

電磁閥DSA5-S1/20N

高壓濾芯FSITB114M90S100

液壓閥DS07-S2/10N-1E

比例閥DSE3-A08/11N-D24K1

比例閥DSE3-A04/11N-D24K1

比例閥ZE5-P4/40

比例流量閥RPCED1-16/C/52-24

電磁閥DL5B-TA/10N-24DK1

電磁閥DL5B-S3/10N-24DK1

電磁閥DL5B-S1/10N-24DK1

電磁閥RM45-MP/30 升級RM4-210-MP/40N

電液換向閥E5P4-S9/34  DC24V

電磁溢流閥RQAM5-P3/1/A/1/51N-D24K1

齒輪泵GP1-0041R97F/20N

電磁閥DS5-TA02/12V-D24K1/W7

電磁閥DS5-TA02/12V-D24K1/W7

電磁閥PBM3-SB4/10N/K

雙聯(lián)泵GP3F-0394R97F/20N+GP1R-0061RF/20N

比例方向閥DSE3J-Z30/15/31N-E0K11/A

放大器EDM-M252/20E0

溢流閥RQ5-W6M/41 RQ5-W6/M/41

柱塞泵VPPL-022PC5-R00S/20N

比例流量閥RPCE3-100-T3/52-24

電磁閥DS3-S4-10N\C22-D48K1-10閥需要配固定螺栓2套密封圈用DS3-S4/11N-D48K1

電磁閥DS3-S4/11N-D48K1

溢流閥RQM5-P6/A/M/60N-D24K1

溢流閥RQM5-P5/B/M/60N-D24K1

液壓閥DSE5-C30/10N-D24K1

電液換向閥DSP7H-S4/20N-EI/C/D24K1

流量控制閥RPC1-4/CT/41

放大板UEIK-11/51-24

　　在設計低噪聲前置放大器之前，工程師必須仔細審視源自放大器的噪聲，一般來說，運算放大器的噪聲主要來自四個方面：

　　1、熱噪聲 （Johnson）：由于電導體內(nèi)電流的電子能量不規(guī)則波動產(chǎn)生的具有寬帶特性的熱噪聲，其電壓均方根值的正方與帶寬、電導體電阻及絕對溫度有直接的關系。對于電阻及晶體管（例如雙極及場效應晶體管）來說，由于其電阻值并非為零，因此這類噪聲影響不能忽視。

　　2、閃爍噪聲（低頻）：由于晶體表面不斷產(chǎn)生或整合載流子而產(chǎn)生的噪聲。在低頻范圍內(nèi)，這類閃爍以低頻噪聲的形態(tài)出現(xiàn)，一旦進入高頻范圍，這些噪聲便會變成“白噪聲"。閃爍噪聲大多集中在低頻范圍，對電阻器及半導體會造成干擾，而雙極芯片所受的干擾比場效應晶體管大。

　　3、射擊噪聲（肖特基）：肖特基噪聲由半導體內(nèi)具有粒子特性的電流載流子所產(chǎn)生，其電流的均方根值正方與芯片的平均偏壓電流及帶寬有直接的關系。這種噪聲具有寬帶的特性。

　　4、爆玉米噪聲（popcorn frequency）：半導體的表面若受到污染便會產(chǎn)生這種噪聲，其影響長達幾毫秒至幾秒，噪聲產(chǎn)生的原因仍然未明，在正常情況下，并無一定的模式。生產(chǎn)半導體時若采用較為潔凈的工藝，會有助減少這類噪聲。

　　此外，由于不同運算放大器的輸入級采用不同的結構，因此晶體管結構上的差異令不同放大器的噪聲量也大不相同。下面是兩個具體例子。

　　1、雙極輸入運算放大器的噪聲：噪聲電壓主要由電阻的熱噪聲以及輸入基極電流的高頻區(qū)射擊噪聲所造成，低頻噪聲電平大小取決于流入電阻的輸入晶體管基極電流產(chǎn)生的低頻噪聲；噪聲電流主要由輸入基極電流的射擊噪聲及電阻的低頻噪聲所產(chǎn)生。

　　2、CMOS 輸入運算放大器的噪聲：噪聲電壓主要由高頻區(qū)通道電阻的熱噪聲及低頻區(qū)的低頻噪聲所造成，CMOS放大器的轉角頻率（corner frequency）比雙極放大器高，而寬帶噪聲也遠比雙極放大器高；噪聲電流主要由輸入門極漏電的射擊噪聲所產(chǎn)生，CMOS放大器的噪聲電流遠比雙極放大器低，但溫度每升高10（C，其噪聲電流便會增加約40%。